Book/Report

FZJ-2017-04195

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Aufbau einer Anlage zur Bestrahlung mit Elektronen bei tiefen Temperaturen

Hemmerich, J. (Corresponding author)FZJ*

1969
Kernforschungsanlage Jülich, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/14720

Report No.: Juel-0579-FN

Abstract: Es wurde eine Anlage aufgebaut, in der Proben bei 4,5°K mit hohen Elektronendosen bestrahlt werden können. Die Kühlung der Proben erfolgt durch direkten Kontakt mit flüssigem Helium. Der Kühlkreislauf wird durch einen He-Refrigerator mit einer Kälteleistung von 160 W bei 4,5°K aufrechterhalten. Zur homogenen Bestrahlung der Proben bei hohem Ausnutzungsgrad des gesamten Strahlstroms wurde die Elektronenquelle des 3 MeV van-de-Graaff-Beschleunigers abgeändert und ein Strahlführungssystem mit Quadrupollinsen zur Anpassung des Strahlflecks an die jeweilige Probenform entwickelt. Damit lassen sich Strahlstromdichten von100 A/cm$^{2}$ mit einer Homogenität $\geq$ 10 % über 2 cm$^{2}$ Probenfläche erreichen. Bei Tieftemperaturbestrahlungen mit dieser Anlage wurden Defektkonzentrationen von 2,7 · 10$^{-3}$bei Platin und 2,4 · 10$^{-3}$ bei Kupfer erzielt. Der Einfluß der Defektkonzentration auf den Defektaufbau wurde untersucht.

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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